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  • TLE9261-3BQX V33

    描述:TLE9261-3BQXV33是采用裸露焊盤VQFN-48(7mm x 7mm)電源封裝的單片集成電路

  • TLE9261-3BQX

    描述:TLE9261-3BQX是采用裸露焊盤VQFN-48(7mm x 7mm)電源封裝的單片集成電路,

  • TLE9471-3ES

    描述:TLE9471-3ES是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路。

  • TLE9461ES V33

    描述:TLE9461ES V33是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路。

  • TLE9461ES

    描述:TLE9461ES是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路

  • TLE9461-3ES V33

    描述:TLE9461-3ES V33是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路

  • TLE9461-3ES

    描述:TLE9461-3ES是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路。

  • TLE6461-3ES V33

    描述:TLE9461-3ES V33是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路

  • TLE9461 -3ES

    描述:TLE9461-3ES是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路

  • TLE9461ES V33

    描述:TLE9461ES V33是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路

  • TLE 9461ES

    描述:TLE9461ES是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路。

  • TLE9461-3ES V33

    描述:TLE9461-3ES V33是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路。

  • TLE9461-3ES

    描述:TLE9461-3ES是采用裸露焊盤PG-TSDSO-24-1(150 mil)電源封裝的單片集成電路

  • TLE9273QX V33

    描述:TLE9273QXV33是采用裸露焊盤PG-VQFN-48-31(7mm x 7mm)的無鉛封裝的單片集成電路,具有引線尖端檢測(LTI)功能,支持自動光學檢測(A01)。

  • TLE9273QX

    描述:TLE9273QX是采用裸露焊盤PG-VQFN-48-31(7mm x 7mm)的無鉛封裝的單片集成電路,具有引線尖端檢查(LTI)功能,支持自動光學檢查(A01)。

  • TLE9272QX V33

    描述:TLE9272QXV33是采用裸露焊盤PG-VQFN-48-31(7mm x 7mm)的無鉛封裝的單片集成電路,具有引線尖端檢測(LTI)功能,支持自動光學檢測(A01)。

  • TLE9272QX

    描述:TLE9272QX是采用裸露焊盤PG-VQFN-48-31(7mm x 7mm)的無鉛封裝的單片集成電路,具有引線尖端檢測(LTI)功能,支持自動光學檢測(A01)。

  • TLE9271QX V33

    描述:TLE9271QXV33是采用裸露焊盤PG-VQFN-48-31(7mm x 7mm)的無鉛封裝的單片集成電路,具有引線尖端檢查(LT1)功能,支持自動光學檢查(A01)。

  • TLE9271QX

    描述:TLE9271QX是采用裸露焊盤PG-VQFN-48-31(7mm x 7mm)的無鉛封裝的單片集成電路,具有引線尖端檢測(LTI)功能,支持自動光學檢測(A01)。

  • ESD24V2U

    描述:硅TVS二極管

  • ESD253-B1-W0201

    描述:低鉗位電壓雙向ESD /瞬態保護二極管(TVS:瞬態電壓抑制器) 雙向,24 V,2.8 pF,0201,RoHS和無鹵素標準

  • ESD231-B1-W0201

    描述:低電容雙向ESD /瞬態保護二極管

  • ESD245-B1-W0201

    描述:低鉗位電壓雙向ESD /瞬態保護二極管

  • ESD237-B1-W0201

    描述:低鉗位電壓雙向ESD /瞬態保護二極管

  • ESD246-B1-W01005

    描述:低鉗位電壓雙向ESD /瞬態保護二極管

  • ESD233-B1-W0201

    描述:低鉗位電壓雙向ESD /瞬態保護二極管

  • TLE8881TN

    描述:TLE8881調節12V汽車多相交流發電機。

  • TLE8881-2TN

    描述:TLE8881-2TN調節12V汽車多相交流發電機。

  • IRF1Z48N

    描述:采用TO-220AB封裝的55V單N溝道HEXFET功率MOSFET

  • IRe6636

    描述:采用DirectFET(ST)封裝的20V單N溝道HEXFET功率MOSFET,額定電流為81A。

  • IRFLO24Z

    描述:采用SOT-223封裝的55V單N溝道HEXFET功率MOSFET

  • IPA6OR950C6

    描述:CoolMOS?C6結合了英飛凌作為領先的超結MOSFET供應商的經驗和一流的創新。C6器件具有快速開關超結MOSFET的所有優點,同時又不犧牲易用性。極低的開關和傳導損耗使開關應用變得更加高效,緊湊,輕便和涼爽。

  • IRF8308M

    描述:采用DirectFET MX封裝的30V單N溝道HEXFET功率MOSFET,額定電流為27安培,并具有低導通電阻

  • i.MX31

    描述: 應用處理器 - 集成式圖像處理單元(IPU),數據連接,ARM11?內核

  • IAUZ18N10S5L420

    描述:OptiMOS?5-用于汽車應用的功率MOSFET

  • BSC03708NS5T

    描述:OptiMOS?5功率MOSFET具有增強的溫度額定值,以改善SuperSO8封裝的堅固性

  • IMZ12R350M1H

    描述:采用TO247-4封裝的CoolSiC?1200V SiC溝槽式MOSFET

  • IPT60R040S7

    描述:英飛凌性價比最高的600V CoolMOS?S7超結MOSFET,適用于采用TO-Leadless(TOLL)封裝的低頻開關應用

  • IPA050N10N5S

    描述:采用TO-220 FullPAK封裝的OptiMOS?5功率MOSFET 100V(IPA050N10NM5S)

  • IMW120R060M1H

    描述:采用TO247-3封裝的CoolSiC?1200V SiC溝槽式MOSFE

  • IPA050N0NM5S

    描述:采用TO-220 FullPAK封裝的OptiMOS?5功率MOSFET 100V(IPA050N10NM5S)

  • IPB60R055CFD7

    描述:

  • IPA126N10NM3S

    描述:OptiMOS?3功率MOSFET 100V,采用TO-220 FullPAK封裝(IPA126N10NM3S)

  • IPD60R360CFD

    描述:具有DPAK封裝的集成快速體二極管的600V CoolMOS?CFD7超結MOSFET是諧振大功率拓撲的理想選擇

  • IPA600N25NM3S

    描述:采用TO-220 FullPAK封裝的OptiMOS?3功率MOSFET 250V(IPA600N25NM3S)

  • IPT60R06S7

    描述:英飛凌性價比最高的600V CoolMOS?S7超結MOSFET,采用TO-Leadless(TOLL)封裝

  • IPA320N20NM3S

    描述:OptiMOS?3功率MOSFET 200V,采用TO-220 FullPAK封裝(IPA320N20NM3S)

  • IMZ120R140M1H

    描述:采用TO247-4封裝的CoolSiC?1200V SiC溝槽式MOSFET

  • IPP60R022S7

    描述:

  • BSC070N10LS5

    描述:邏輯電平的OptiMOS?5功率MOSFET 體積小,R DS(on)低

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